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IRF7321D2
Power Mosfet Characteristics
1400
1200
V GS = 0V f = 1 MHz
Ciss = Cgs + Cgd + Cds
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
SHORTED
20
16
I D = -4.9A
V DS =-15V
1000
C iss
800
C oss
12
600
400
C rss
8
4
200
0
1
10
100
A
0
0
10
20
30
40
100
10
- V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
T J = 150°C
100
10
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R DS(on)
100us
T J = 25°C
1ms
A
1
0.4
0.6
0.8
1.0
V GS = 0V
1.2 1.4
1
1
T C = 25 °C
T J = 150 °C
Single Pulse
10
10ms
100
4
-V SD , Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
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